Forwarded from DNCC Delhi (official)
Telegram
NORCET 2026 (DNCC DELHI Laxmi nagar)
DSSSB AIIMS ESIC RPSC CHO
DSSSB NORCET 2024 ESIC NURSING OFFICER
Special batch dsssb NURSING officers The Official Telegram handle of DNCC DELHI ,
In Contact us 8920592455,
Inquiry 01142630654
Mobile app DNCC LIVE
https://clpmarshal.page.link/hmWV
DSSSB NORCET 2024 ESIC NURSING OFFICER
Special batch dsssb NURSING officers The Official Telegram handle of DNCC DELHI ,
In Contact us 8920592455,
Inquiry 01142630654
Mobile app DNCC LIVE
https://clpmarshal.page.link/hmWV
तांबे की कमी और डर्मेनियम की वृद्धिtaambe kee kamee aur darmeniyam kee1. तापमान बढ़ाने पर अर्धचालक का विशिष्ट प्रतिरोध:-
(1) बढ़ जाता है
(2) घट जाती है
(3) परिवर्तन नहीं होता
(4) पहले घटती है और फिर बढ़ती है
1. On increasing the temperature the specific resistance of a semiconductor:-
(1) increases
(2) decreases
(3) does not change
(4) first decreases and then increases
(1) increases
(2) decreases
(3) does not change
(4) first decreases and then increases
2. प्लैटिनम और सिलिकॉन को 25°C तक गर्म करने के बाद ठंडा किया जाता है तो:-
(1) प्लैटिनम का प्रतिरोध बढ़ जाएगा और सिलिकॉन का कम हो जाएगा।
(2) सिलिकॉन का प्रतिरोध बढ़ जाएगा और वह
प्लैटिनम घट जाता है.
(3) दोनों का प्रतिरोध कम हो जायेगा.
(4) दोनों का प्रतिरोध बढ़ जाता है।
(1) प्लैटिनम का प्रतिरोध बढ़ जाएगा और सिलिकॉन का कम हो जाएगा।
(2) सिलिकॉन का प्रतिरोध बढ़ जाएगा और वह
प्लैटिनम घट जाता है.
(3) दोनों का प्रतिरोध कम हो जायेगा.
(4) दोनों का प्रतिरोध बढ़ जाता है।
2. Platinum and silicon are cooled after heating up to 25° C then :-
(1) resistance of platinum will increase and that of silicon decreases.
(2) resistance of silicon will increase and that of
platinum decreases.
(3) resistance of both will decrease.
(4) resistance of both increases.
(1) resistance of platinum will increase and that of silicon decreases.
(2) resistance of silicon will increase and that of
platinum decreases.
(3) resistance of both will decrease.
(4) resistance of both increases.
3. अर्धचालक में विद्युत चालन किसके कारण होता है:-
(1) केवल इलेक्ट्रॉन
(2) केवल छेद
(3) इलेक्ट्रॉन और छिद्र दोनों
(4) न तो इलेक्ट्रॉन और न ही छिद्र
(1) केवल इलेक्ट्रॉन
(2) केवल छेद
(3) इलेक्ट्रॉन और छिद्र दोनों
(4) न तो इलेक्ट्रॉन और न ही छिद्र
3. Electric conduction in a semiconductor takes place due to :-
(1) electrons only
(2) holes only
(3) both electrons and holes
(4) neither electrons nor holes
(1) electrons only
(2) holes only
(3) both electrons and holes
(4) neither electrons nor holes
4. निम्नलिखित में से किस जोड़े के लिए परमाणु बंधन समान है:-
(1) एजी और सी
(2) जीई और सी
(3) NaCl और Ge
(4) ने और गे
(1) एजी और सी
(2) जीई और सी
(3) NaCl और Ge
(4) ने और गे
4. The atomic bonding is same for which of the following pairs :-
(1) Ag and Si
(2) Ge and Si
(3) NaCl and Ge
(4) Ne and Ge
(1) Ag and Si
(2) Ge and Si
(3) NaCl and Ge
(4) Ne and Ge
6. मान लीजिए किसी बाहरी अर्धचालक में n, और n, छिद्रों और चालन इलेक्ट्रॉनों की संख्या है।
(1) एन > एन
(2) एन = एन
(3) एन <एन
(4) n≠n
(1) एन > एन
(2) एन = एन
(3) एन <एन
(4) n≠n
6. Let n, and no be the numbers of holes and conduction electrons in an extrinsic semiconductor.
(1) n > n
(2) n = n
(3) n <n
(4) n≠n
(1) n > n
(2) n = n
(3) n <n
(4) n≠n
7. एक पी-प्रकार अर्धचालक है:-
(1) धनात्मक आवेशित
(2) ऋणात्मक आवेशित
(3) अनावेशित
(4) ओके पर अनचार्ज किया गया लेकिन उच्च तापमान पर चार्ज किया गया2
(1) धनात्मक आवेशित
(2) ऋणात्मक आवेशित
(3) अनावेशित
(4) ओके पर अनचार्ज किया गया लेकिन उच्च तापमान पर चार्ज किया गया2
7. A p-type semiconductor is:
(1) positively charged
(2) negatively charged
(3) uncharged
(4) uncharged at OK but charged at higher temperatures2
(1) positively charged
(2) negatively charged
(3) uncharged
(4) uncharged at OK but charged at higher temperatures2
8. पी-प्रकार अर्धचालक के लिए कौन सा कथन सही है
(1) कमरे के तापमान पर चालन बैंड में इलेक्ट्रॉनों की संख्या वैलेंस बैंड में छिद्रों की संख्या से अधिक होती है
(2) कमरे के तापमान पर संयोजकता बैंड में छिद्रों की संख्या चालन बैंड में इलेक्ट्रॉनों की संख्या से अधिक होती है
(3) कमरे के तापमान पर कोई छेद और इलेक्ट्रॉन नहीं होते हैं
(4) संयोजकता और चालन बैंड में छिद्रों और इलेक्ट्रॉनों की संख्या बराबर होती है
(1) कमरे के तापमान पर चालन बैंड में इलेक्ट्रॉनों की संख्या वैलेंस बैंड में छिद्रों की संख्या से अधिक होती है
(2) कमरे के तापमान पर संयोजकता बैंड में छिद्रों की संख्या चालन बैंड में इलेक्ट्रॉनों की संख्या से अधिक होती है
(3) कमरे के तापमान पर कोई छेद और इलेक्ट्रॉन नहीं होते हैं
(4) संयोजकता और चालन बैंड में छिद्रों और इलेक्ट्रॉनों की संख्या बराबर होती है
8. Which statement is correct for p-type semiconductor
(1) the number of electrons in conduction band is more than the number of holes in valence band at room temperature
(2) the number of holes in valence band is more than the number of electrons in conduction band at room temperature
(3) there are no holes and electrons at room temperature
(4) number of holes and electrons is equal in valence and conduction band
(1) the number of electrons in conduction band is more than the number of holes in valence band at room temperature
(2) the number of holes in valence band is more than the number of electrons in conduction band at room temperature
(3) there are no holes and electrons at room temperature
(4) number of holes and electrons is equal in valence and conduction band