💾 NEO Semiconductor показала прототип 3D X-DRAM

Компанія NEO Semiconductor представила прототип 3D X-DRAM — технології, яку вже називають потенційною революцією для ринку пам'яті 👀

Головна ідея — вертикальне нашарування комірок DRAM, подібно до того, як свого часу 3D NAND змінила SSD 🧠

Це дозволяє значно збільшити щільність пам’яті без росту площі кристала 💎

📈 За оцінками компанії, технологія може забезпечити:
🛑 до 128 ГБ на одному чипі
🛑 до 230 шарів
🛑 щільність до 8 разів вищу, ніж у класичної DRAM

Основний драйвер розвитку — AI та дата-центри, яким потрібно дедалі більше оперативної пам'яті для моделей і серверних навантажень. Саме через це виробники активно шукають альтернативу традиційному масштабуванню DRAM ⚙️

Якщо технологію вдасться довести до масового виробництва, у майбутньому це може означати значно більші об’єми RAM у ПК, ноутбуках і серверах без різкого росту цін 🤔

#новини #оперативнапамять #3DXDRAM #ШІ #AI

ЗНИЖКИ ТУТ | ПІДПИШИСЬ