9. जब किसी अशुद्धि को आंतरिक अर्धचालक में मिलाया जाता है, तो अर्धचालक की चालकता:

(1) बढ़ जाता है

(2) घट जाती है

(3) वही रहता है

(4)शून्य हो जाना

9. When an impurity is doped into an intrinsic semiconductor, the conductivity of the semiconductor:

(1) increases

(2) decreases

(3) remains the same

(4) become zero

10. जब हम शुद्ध अर्धचालक को N प्रकार में परिवर्तित करते हैं तो छिद्र की संख्या होती है

(1)घटता है

(2)डी

(3) स्थिर रहता है

(4) कोई नहीं

10. When we convert pure semiconductor into N type the number of hole-

(1) Increases

(2) Decreases

(3) Remains constant

(4) None

11. एक अर्धचालक तेज धारा से क्षतिग्रस्त हो जाता है। क्योंकि!

(1) मुक्त इलेक्ट्रॉनों की कमी

(2) इलेक्ट्रॉनों में कमी

(3) इलेक्ट्रॉनों की अधिकता

(4) इनमें से कोई नहीं

11. A semiconductor is damaged by a strong current. because

(1) lack of free electrons

(2) decrease in electrons

(3) excess of electrons

(4) none of these

12. यदि n, और n, फॉस्फोरस से अत्यधिक डोप किए गए अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों और छिद्रों की संख्या हैं, तो:-

(1) एन >> एन

(3) एन ≤एन

(2) एन <<एन

(4) एन = एन

12.If n_{x} and n_{h} are the number of electrons and holes in a semiconductor heavily doped with phosphorus, then:-

(1) n_{e}>>n_{h}

(3 n_{e}\le n_{h}

(2) n_{a}<<n_{n}

(4) n_{v}=n_{b}

13. विभिन्न सामग्रियों से बने दो तारों P और Q का कमरे के तापमान पर समान प्रतिरोध होता है। गर्म करने पर P का प्रतिरोध बढ़ जाता है और Q का कम हो जाता है। हम यह निष्कर्ष निकालते हैं कि:-

(1) P और Q दोनों चालक हैं लेकिन अलग-अलग सामग्रियों से बने होने के कारण ऐसा होता है।

(2) P, n-प्रकार का अर्धचालक है और Q, p-प्रकार का अर्धचालक है।

(3) P अर्धचालक है और Q चालक है।

(4) P चालक है और Q अर्धचालक है।

13. Two wires P and Q made up of different materials have same resistance at room temperature. When heated, resistance of P increases and that of Q decreases. We conclude that:-

(1) P and Q both are conductors but because of being made of different materials it happens so.

(2) P is n-type semiconductor and Q is p-type semiconductor.

(3) P is semiconductor and Q is conductor.

(4) P is conductor and Q is semicondcutor.

14. जब अर्धचालक की चालकता केवल सहसंयोजक बंधों के टूटने के कारण होती है तो अर्धचालक कहलाता है:-

(1) आंतरिक

(3) पी-प्रकार

(2) बाह्य

(4) एन-प्रकार

14. When the conductivity of a semiconductor is only due to breaking of covalent bonds, the semiconductor is called :-

(1) intrinsic

(2) p-type

(3) extrinsic

(4) n-types

15. एक आंतरिक अर्धचालक में, कमरे के तापमान पर इलेक्ट्रॉनों और छिद्रों की संख्या होती है:-

(1) बराबर

(2) असमान

(3) शून्य

(4) अनंत

15. In an intrinsic semiconductor, number of electrons and holes at room temperature are :-

(1) equal

(3) unequal

(2) zero

(4) infinity

16. एक अर्धचालक तार को विद्युत परिचालित अर्धचालक में श्रृंखला में जोड़ा जाता है और सर्किट में वर्तमान का तापमान बढ़ जाता है-

(1) घट जाती है

(2)बढ़ती है

(3) स्थिर

(4) नहीं बहेगा

16. A semiconductor wire is connected in an electric circull semiconductor in series and temperature of increased then the current in the circuit-

(1) decreases

(3) Increases

(2) constant

(4) will not flow

17. जर्मेनियम क्रिस्टल में निषिद्ध ऊर्जा अन्तराल जूल में होता है

(1) 1.12x10

(2) 1.6 x 10

(3) शून्य

(4) 1.76 x 10

17. In germanium crystal, the forbidden energy gap in Joule is

(1) 1.12x10

(2) 1.6 x 10

(3) zero

(4) 1.76 x 10

18.अर्धचालक में, कमरे के तापमान पर-

(1) संयोजकता बैंड आंशिक रूप से खाली है और चालन बैंड आंशिक रूप से भरा हुआ


(2) संयोजकता बैंड पूर्णतः भरा हुआ है तथा चालन बैंड आंशिक रूप से खाली है

(3) संयोजकता बैंड पूर्णतः भरा हुआ है

(4) चालन बैंड पूरी तरह से खाली हैं

18. In semiconductor, at room temperature-

(1) valence band are partially empty and conduction band are partially filled

(2) valence band are fully filled and conduction band are partially empty

(3) valence band are fully filled

(4) conduction band are fully empty