하지만 주요 제약은 ASML이 업그레이드된 EUV 광원을 공장 전반에 통합하려는 방식입니다. Wccftech에 따르면, 이 회사는 고객이 전체 시스템을 교체하지 않고도 도구를 업그레이드할 수 있도록 하는 “Productivity Enhancement Packages”(PEP)를 제공합니다. 하지만 구형 NXE:3400C/D 모델의 열 제한은 결국 1,000W 광원을 추가해야 했으며, 이는 최신 접근 방식이 기존 NXE:3800E 시스템과 향후 출시될 High‐NA EXE:5000/5200 플랫폼에 초점을 맞출 것임을 시사합니다.

NXE:3800Fでは、600Wを超える光源出力によるスループットの改善に加え、高性能化による技術コストのさらなる低減が図られている。

また、CNT（カーボンナノチューブ）ペリクルの適用をサポートするため、破損検知機能、ガスフローの最適化、ESD対策といった複数の露光機側の改良についても報告があった。

이곳에서 만난 베르톨트 슈미트 트럼프 최고기술책임자(CTO)는 “ASML과 함께 레이저 출력을 800W로 높이는 기술을 개발하고 있다”며 “이를 통해 EUV 노출시간을 크게 줄일 수 있다”고 설명했다. 웨이퍼당 EUV 노출 시간이 줄어들면 반도체 생산량도 많이 늘어나게 된다.

그동안 반도체 노광 공정에는 6인치 마스크가 사용되어 왔으나 12인치 마스크로 전환할 경우 나누어 새기고 연결하는 작업(stitching)의 제약을 해소할 수 있어 팹 생산성을 높이고 칩 제조 비용을 낮출 수 있다.

특히 12인치 마스크를 사용하면 'High NA EUV' 설비의 이점을 온전히 활용할 수 있다.