하지만 주요 제약은 ASML이 업그레이드된 EUV 광원을 공장 전반에 통합하려는 방식입니다. Wccftech에 따르면, 이 회사는 고객이 전체 시스템을 교체하지 않고도 도구를 업그레이드할 수 있도록 하는 “Productivity Enhancement Packages”(PEP)를 제공합니다. 하지만 구형 NXE:3400C/D 모델의 열 제한은 결국 1,000W 광원을 추가해야 했으며, 이는 최신 접근 방식이 기존 NXE:3800E 시스템과 향후 출시될 High‐NA EXE:5000/5200 플랫폼에 초점을 맞출 것임을 시사합니다.

11일 삼성 오스틴 반도체(Samsung Austin Semiconductor)가 발표한 '2025 경제효과 보고서'에 따르면 삼성은 올해 말 가동을 목표로 테일러 공장에서 극자외선(EUV) 공정을 적용한 2나노 반도체 생산을 준비하고 있다. 테일러 공장은 삼성 글로벌 파운드리 사업의 미국 내 핵심 생산기지로 자동차와 인공지능(AI), 소비자 전자기기, 국방·항공우주 산업용 첨단 반도체를 생산하게 된다.

그동안 반도체 노광 공정에는 6인치 마스크가 사용되어 왔으나 12인치 마스크로 전환할 경우 나누어 새기고 연결하는 작업(stitching)의 제약을 해소할 수 있어 팹 생산성을 높이고 칩 제조 비용을 낮출 수 있다.

특히 12인치 마스크를 사용하면 'High NA EUV' 설비의 이점을 온전히 활용할 수 있다.