SK하이닉스가 ‘꿈의 메모리’로 불리는 3차원(3D) D램에 관한 원천 기술 선점에 속도를 붙이고 있다. 인공지능(AI) 반도체 시장에서 고대역폭메모리(HBM)로 주도권을 잡은 SK하이닉스가 차세대 D램 분야에서도

10나노급 이하 D램 '4F스퀘어·3D' 구조로 대전환

※ 2025년 6월 12일 목요일 방송본입니다.

00:00 인트로
01:23 SK하이닉스가 ‘4F² → 3D’ 구조 전환 로드맵 발표
03:26 기존 6F² 구조 → 4F² 구조 전환 의미
05:00 셀 구조 소자
08:16 삼성은 GAA(Gate All Around) 구조로 진입
05:40 현재는 EUV, 식각, 하이브리드 본딩 등 기반 기술 발달로 가능성
12:43 마이크론은 4F²를 건너뛰고…