포스트 HBM 시대, 차세대 메모리 기술 경쟁 본격화

핵심 내용 요약

* 글로벌 반도체 업계가 '포스트 HBM' 기술로 CXL 및 SOCAMM에 주목
* 최근 개최된 ‘CXL 데브콘 2025’에 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 기업도 참여
* CXL은 CPU·GPU·SoC 등 이기종 장치를 유기적으로 연결해 대용량 메모리 확장 및 고속 전송을 지원
* SOCAMM은 LPDDR 기반 탈부착형 모듈로, AI 연산 효율을 높이고 가격 경쟁력도 높음
* 마이크론은 SOCAMM 시장에서 선두주자로 부상했으며, 엔비디아와의 협력으로 경쟁 우위 확보

추가 기술 및 기업 동향

* 삼성전자는 CXL 기반 D램을 업계 최초 개발(2021), 256GB까지 인증 진행 중
* SK하이닉스는 CXL 2.0 기반 제품 'CMM-DDR5' 96GB 고객 인증 완료, 128GB도 인증 중
* 마이크론은 SOCAMM 양산을 선언하고 엔비디아와 협력
* 엔비디아 차세대 AI 가속기 GB300에 HBM + SOCAMM 동시 탑재 예정
* 국내 기업들은 SOCAMM 개발 단계에 있으며 연내 양산을 목표

예상 효과 및 업계 반응

* CXL·SOCAMM은 AI 연산 병목 해소, 메모리 확장성, 전력 효율성에서 주목
* HBM 고도화에 집중됐던 메모리 산업의 기술 확장 트렌드로 해석
* HBM 대비 가격경쟁력이 높은 SOCAMM이 ‘보완재’ 또는 ‘대체재’로 시장 부상 가능성
* 마이크론의 선점이 시장 내 영향력 확대의 핵심 요인, 삼성·SK는 빠른 기술 추격 필요

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